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标题:
(10 分) 3. 64K×1位DRAM芯片通常制成两个独立的128×256阵列。若存储器的读/写...
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作者:
李老师
时间:
2021-8-9 13:47
标题:
(10 分) 3. 64K×1位DRAM芯片通常制成两个独立的128×256阵列。若存储器的读/写...
(10 分)
3. 64K×1位DRAM芯片通常制成两个独立的128×256阵列。若存储器的读/写周期为0.5μs,则对集中式刷新而言,其“死区”时间是多少?如果是一个256K×1位的DRAM芯片,希望能与上述64K×1位DRAM芯片有相同的刷新延时,则它的存储阵列应如何安排? (10 分)
4. 地址映象方法有哪几种?它们各有什么优缺点? (10 分)
5. 设某机字长为32位,CPU有32个32位通用寄存器,有8种寻址方式包括直接寻址,间接寻址、立即寻址、变址寻址等,采用R—S型单字长指令格式。共有120条指令,试问:
(1)该机直接寻址的最大存储空间为多少?
(2)若采用间接寻址,则可寻址的最大存储空间为多少?如果采用变址寻址呢?
(3)若立即数为带符号的补码整数,试写出立即数范围。 (10 分)
6. 如图所示为一CPU的结构框图。
(1)标明图中a、b、c、d四个寄存器的名称。
(2)简述取指令的操作流程。
(3)若加法指令格式与功能如下
其功能为:(AC)+(D)→AC
试分析执行加法指令的操作流程。
(10 分)
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