一、单选题（共 6 道试题，共 30 分。）V
1. 使IGBT开通的栅射极间驱动电压一般取（ ）V。
A. （-5）-（-15）
B. 10-15
C. 15-20
D. 20-25
满分：5 分
2. 电力电子器件采用的主要材料是（ ）。
A. 铁
B. 钢
C. 银
D. 硅
满分：5 分
3. 电力场效应晶体管的英文表示为（ ）。
A. GTO
B. GTR
C. 电力MOSFET
D. IGBT
满分：5 分
4. （ ）是将电力MOSFET与晶闸管SCR组合而成的复合型器件。
A. MCT
B. SIT
C. SITH
D. IGCT
满分：5 分
5. 全控型器件在较高频率下工作，当器件关断时，因正向电流的迅速降低而由线路电感在器件两端感应出的过电压称为（ ）。
A. 操作过电压
B. 雷击过电压
C. 换相过电压
D. 关断过电压
满分：5 分
6. 电力二极管的最高工作结温通常在（ ）℃之间。
A. 0-100
B. 50-125
C. 100-175
D. 125-175
满分：5 分